Основные
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Объем памяти | 4 ТБ |
| Тип ячеек памяти | V-NAND TLC |
| Интерфейс | PCIe 5.0 x4 |
| NVMe | Поддержка протокола NVMe |
| Контроллер | Samsung in-house Controller |
| Скорость чтения | 14800 |
| Скорость записи | 13400 |
| Ресурс записи (TBW) | 2400 |
Дополнительно
| Время наработки на отказ | 1.5 млн часов |
| Ударостойкость | 1500 |
| Потребляемая мощность | 8.2 Вт |
| Рабочая температура | От 0 до 70 |
| Дополнительно |
NVMe 2.0 Кэш-память - Samsung 4GB Low Power DDR4X SDRAM Поддержка TRIM Поддержка S.M.A.R.T. Алгоритм автоматической уборки мусора 256-битное шифрование AES (класс 0)TCG/Opal IEEE1667 (зашифрованный диск) Поддержка спящего режима устройства Случайное чтение - 2,200,000 IOPS Случайная запись - 2,600,000 IOPS |
| Габариты | 80.15 x 25 x 8.88 |
| Вес | 30 |
| Статус SSD | Новый |
| Комплектация |
SSD-диск Радиатор |
Вопросы о SSD-диск Samsung 9100 PRO V-NAND TLC 4TB with Heatsink M.2 (2280 PCI-E) NVMe 2.0 (MZ-VAP4T0CW)
💎 Как часто выбирают товар?
С этим товаром собрали 31 сборок
Comments (0)
Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии